onsemi NTTFS5811NLTWG N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 17 A 2,7 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 719-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS5811NLTWG
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 0,242 € | 1,21 € |
| 10 - 15 | 0,236 € | 1,18 € |
| 20 - 45 | 0,23 € | 1,15 € |
| 50 - 95 | 0,224 € | 1,12 € |
| 100 + | 0,218 € | 1,09 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 719-2991
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS5811NLTWG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 10 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V | |
| Verlustleistung max. | 2,7 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 3.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 3.15mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 10 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.2V | ||
Verlustleistung max. 2,7 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 3.15mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 3.15mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 31 nC @ 10 V | ||
Höhe 0.8mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||