Nexperia Isoliert Trench MOSFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 870 mA 400 mW, 6-Pin SC-88

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Herst. Teile-Nr.:
PMGD280UN,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

870mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

Trench MOSFET

Gehäusegröße

SC-88

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

340mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.83V

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.89nC

Gate-Source-spannung max Vgs

8V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Breite

1.35mm

Länge

2.2mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

Zweifach-N-Kanal MOSFET, Nexperia


MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors


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