Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.3 A 1.25 W, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
IRLML9303TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

165mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4mm

Länge

3.04mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.02mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


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