Semelab ALFET ALF16P20W P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 16 A 250 W, 3-Pin TO-264
- RS Best.-Nr.:
- 737-9603
- Herst. Teile-Nr.:
- ALF16P20W
- Marke:
- Semelab
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 737-9603
- Herst. Teile-Nr.:
- ALF16P20W
- Marke:
- Semelab
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semelab | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 16 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | TO-264 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 26.49mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.21mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | ALFET | |
| Höhe | 26.49mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semelab | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 16 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße TO-264 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 26.49mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.21mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie ALFET | ||
Höhe 26.49mm | ||
- Ursprungsland:
- GB
Leistungs-MOSFET für Audioverstärker-Anwendungen
MOSFET-Transistoren, Semelab
