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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Semelab ALFET ALF16P20W P-Kanal, THT MOSFET 200 V / 16 A 250 W, 3-Pin TO-264
RS Best.-Nr.:
737-9603
Herst. Teile-Nr.:
ALF16P20W
Marke:
Semelab
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Nicht mehr im Sortiment
RS Best.-Nr.:
737-9603
Herst. Teile-Nr.:
ALF16P20W
Marke:
Semelab
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
ALF16P16W / ALF16P20W P-Channel Lateral Power MOSFET for Audio Datasheet
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Konformitätserklärung
Ursprungsland:
GB
Leistungs-MOSFET für Audioverstärker-Anwendungen
MOSFET-Transistoren, Semelab
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
P
Dauer-Drainstrom max.
16 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Gehäusegröße
TO-264
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
1.5V
Verlustleistung max.
250 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
26.49mm
Breite
5.21mm
Transistor-Werkstoff
Si
Serie
ALFET
Höhe
26.49mm
RS Best.-Nr.:
737-9603
Herst. Teile-Nr.:
ALF16P20W
Marke:
Semelab
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
ALF16P16W / ALF16P20W P-Channel Lateral Power MOSFET for Audio Datasheet
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Konformitätserklärung
Ursprungsland:
GB
Leistungs-MOSFET für Audioverstärker-Anwendungen
MOSFET-Transistoren, Semelab
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
P
Dauer-Drainstrom max.
16 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Gehäusegröße
TO-264
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
1.5V
Verlustleistung max.
250 W
Transistor-Konfiguration
Einfach
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
26.49mm
Breite
5.21mm
Transistor-Werkstoff
Si
Serie
ALFET
Höhe
26.49mm