Semelab TetraFET D2019UK N-Kanal, SMD MOSFET 65 V / 1 A 17,5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 738-7717
- Herst. Teile-Nr.:
- D2019UK
- Marke:
- Semelab
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- RS Best.-Nr.:
- 738-7717
- Herst. Teile-Nr.:
- D2019UK
- Marke:
- Semelab
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semelab | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 65 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Verlustleistung max. | 17,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 5.08mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 4.06mm | |
| Betriebstemperatur max. | +200°C | |
| Serie | TetraFET | |
| Höhe | 2.18mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semelab | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 65 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Verlustleistung max. 17,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 5.08mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 4.06mm | ||
Betriebstemperatur max. +200°C | ||
Serie TetraFET | ||
Höhe 2.18mm | ||
- Ursprungsland:
- GB