onsemi MMBF170L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

1,48 €

(ohne MwSt.)

1,76 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 640 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
  • Zusätzlich 7.910 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 900,148 €1,48 €
100 - 2400,127 €1,27 €
250 - 4900,11 €1,10 €
500 - 9900,097 €0,97 €
1000 +0,089 €0,89 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
739-0357
Herst. Teile-Nr.:
MMBF170
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

500mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

MMBF170L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.93mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.92mm

Breite

1.3 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links