onsemi UniFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 4.5 A 30 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 739-4885
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF5N50NZ
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Serie | UniFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -25V, +25V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.16mm | |
| Höhe | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Serie UniFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -25V, +25V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.16mm | ||
Höhe 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.