Infineon HEXFET AUIRFR024N N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 17 A 45 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 748-1829
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR024N
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 0,71 € | 3,55 € |
| 25 - 95 | 0,648 € | 3,24 € |
| 100 - 245 | 0,576 € | 2,88 € |
| 250 - 495 | 0,554 € | 2,77 € |
| 500 + | 0,54 € | 2,70 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 748-1829
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR024N
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 45 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 6.73mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Breite | 6.22mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 55 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 75 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 45 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 6.73mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
Breite 6.22mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Serie HEXFET | ||