DiodesZetex P-Kanal, SMD MOSFET 16 V / 2,5 A 490 mW, 3-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 751-4098
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG3415UFY4-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,245 € | 6,13 € |
| 125 - 475 | 0,208 € | 5,20 € |
| 500 - 1225 | 0,184 € | 4,60 € |
| 1250 + | 0,159 € | 3,98 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 751-4098
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG3415UFY4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 16 V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 65 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 490 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.08mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.575mm | |
| Höhe | 0.35mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 16 V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 65 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Verlustleistung max. 490 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.08mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.575mm | ||
Höhe 0.35mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN