DiodesZetex DMG9926USD-13 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 8 A 1,3 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 751-4124
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG9926USD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
2,975 €
(ohne MwSt.)
3,55 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,119 € | 2,98 € |
| 50 - 225 | 0,115 € | 2,88 € |
| 250 - 475 | 0,112 € | 2,80 € |
| 500 - 975 | 0,11 € | 2,75 € |
| 1000 + | 0,109 € | 2,73 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 751-4124
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG9926USD-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 37 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 0.9V | |
| Verlustleistung max. | 1,3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 4.95mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,8 nC @ 4,5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 3.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 37 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 0.9V | ||
Verlustleistung max. 1,3 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 4.95mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,8 nC @ 4,5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 3.95mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
- Ursprungsland:
- CN