Infineon Einfach OptiMOS 2 Typ N, Typ N-Kanal 1, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 100 A 2.8 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 752-8154
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC026N02KSGAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC026N02KSGAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Montageart | Oberfläche, SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Montageart Oberfläche, SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOSTM2 Power MOSFET-Familie
OptiMOSTM2OptiMOS 2
MOSFET-Transistoren, Infineon
Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.
