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    Infineon OptiMOS™ 3 BSZ100N06LS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 20 A 2,1 W, 8-Pin TDSON

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    752-8255
    Herst. Teile-Nr.:
    BSZ100N06LS3GATMA1
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.20 A
    Drain-Source-Spannung max.60 V
    SerieOptiMOS™ 3
    GehäusegrößeTDSON
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.17,9 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.2V
    Gate-Schwellenspannung min.1.7V
    Verlustleistung max.2,1 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Breite3.4mm
    Länge3.4mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs15 nC @ 4,5 V
    Höhe1.1mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C

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