Infineon CoolMOS C3 SPD02N80C3BTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
752-8485
Herst. Teile-Nr.:
SPD02N80C3BTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,7 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

42 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

6.22mm

Länge

6.73mm

Höhe

2.41mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

CoolMOS C3