Infineon CoolMOS CFD N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 34 A 313 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 752-8511
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW35N60CFD
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 752-8511
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW35N60CFD
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 34 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | CoolMOS CFD | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 118 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 313 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 5.21mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 16.13mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 163 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 34 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie CoolMOS CFD | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 118 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 313 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 5.21mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 16.13mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 163 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.