Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 753-2832P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS127H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 600 | 0,154 € |
| 625 - 1225 | 0,143 € |
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| 2500 + | 0,10 € |
*Richtpreis
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSS127H6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.65nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.65nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.9mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.3 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.