Infineon CoolMOS C6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 10.6 A 83 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

2,57 €

(ohne MwSt.)

3,058 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 +1,285 €2,57 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
753-3011
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R380C6ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS C6

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

380mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C6/C7


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Verwandte Links