Infineon OptiMOS T IPP70N10S312AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 125 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 753-3052
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP70N10S312AKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
4,32 €
(ohne MwSt.)
5,14 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,16 € | 4,32 € |
| 20 - 38 | 1,82 € | 3,64 € |
| 40 - 98 | 1,74 € | 3,48 € |
| 100 - 498 | 1,46 € | 2,92 € |
| 500 + | 1,29 € | 2,58 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 753-3052
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP70N10S312AKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 70 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11,6 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.4mm | |
| Länge | 10mm | |
| Höhe | 9.25mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | OptiMOS T | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 70 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11,6 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 51 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.4mm | ||
Länge 10mm | ||
Höhe 9.25mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie OptiMOS T | ||