Infineon OptiMOS 3 BSC090N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 48 A 32 W, 8-Pin TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
754-5282
Herst. Teile-Nr.:
BSC090N03LSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

48 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TDSON

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

13,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

32 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.1mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5.35mm

Höhe

1.1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

OptiMOS 3

Der Infineon BSC090N03LS G ist die extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Betriebswiderstand in kleinen Gehäusen machen OptiMOS 25V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen. Der Gehäusetyp des MOSFET ist PG-TDSON-8.

Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung
Niedrigster Betriebswiderstand in kleinen Gehäusen
Einfache Integration