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    Infineon OptiMOS 3 BSC080N03MSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 53 A 35 W, 8-Pin TDSON

    Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

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    Verpackungsoptionen:
    RS Best.-Nr.:
    754-5288
    Herst. Teile-Nr.:
    BSC080N03MSGATMA1
    Marke:
    Infineon

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.53 A
    Drain-Source-Spannung max.30 V
    GehäusegrößeTDSON
    SerieOptiMOS 3
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl8
    Drain-Source-Widerstand max.10,2 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2V
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.35 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge5.35mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite6.1mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs21 nC @ 10 V
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe1.1mm

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