Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 53 A 35 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
754-5288
Herst. Teile-Nr.:
BSC080N03MSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

53 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

10,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

35 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

6.1mm

Länge

5.35mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.1mm

Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V


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Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
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MOSFET-Transistoren, Infineon


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