Infineon OptiMOS 3 IPB009N03LGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
754-5406
Herst. Teile-Nr.:
IPB009N03LGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

1,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.31mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

110 nC @ 4,5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.45mm

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

OptiMOS 3