onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 759-8951
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2532
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
4,01 €
(ohne MwSt.)
4,77 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 15 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 63 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 7 | 4,01 € |
| 8 - 39 | 3,79 € |
| 40 - 199 | 3,40 € |
| 200 - 399 | 2,93 € |
| 400 + | 2,82 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-8951
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2532
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 79A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 48mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 11.33 mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 79A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 11.33 mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 150 V / 79 A 310 W, 3-Pin
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin FDB035AN06A0 TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin FDB3632 TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin FDB2552 TO-263