onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 37 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 759-8955P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2552
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt sichern
200 weitere Einheiten hinzufügen, um 13% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
43,40 €
(ohne MwSt.)
51,60 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 540 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 20 - 198 | 2,17 € | - |
| 200 + | 1,88 € | 13% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-8955P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2552
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 97mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 11.33mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 97mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 11.33mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.