onsemi PowerTrench FDS86240 N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 7,5 A 5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 759-9190
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86240
- Marke:
- ON Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,865 € | 3,73 € |
| 10 - 98 | 1,575 € | 3,15 € |
| 100 - 248 | 1,245 € | 2,49 € |
| 250 - 498 | 1,19 € | 2,38 € |
| 500 + | 1,04 € | 2,08 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9190
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86240
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 35 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 4mm | |
| Breite | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 28 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 35 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 4mm | ||
Breite 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 28 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||