onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 36 A 62 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 759-9471
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD86102
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
2,94 €
(ohne MwSt.)
3,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- 3.318 Einheit(en) mit Versand ab 27. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,47 € | 2,94 € |
| 20 - 198 | 1,27 € | 2,54 € |
| 200 - 998 | 1,10 € | 2,20 € |
| 1000 + | 0,965 € | 1,93 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9471
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD86102
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 44mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 44mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-252