onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 8 A 132 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 759-9484P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD86250
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
9,35 €
(ohne MwSt.)
11,13 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 98 | 0,935 € |
| 100 - 248 | 0,735 € |
| 250 - 498 | 0,705 € |
| 500 + | 0,62 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9484P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD86250
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 45mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 45mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal4 A 56 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin DPAK (TO-252)
