onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 1,8 A 1,4 W, 6-Pin MLP
- RS Best.-Nr.:
- 759-9493
- Herst. Teile-Nr.:
- FDFME3N311ZT
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- Marke:
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | MLP | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 603 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,4 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.6mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 1.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 0.55mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße MLP | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 603 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.5V | ||
Verlustleistung max. 1,4 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.6mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 1.6mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 0.55mm | ||
- Ursprungsland:
- MY