onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 2,7 A 1,5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 759-9651
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN8601
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
2,54 €
(ohne MwSt.)
3,025 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 40 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1.060 Einheit(en) mit Versand ab 12. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,508 € | 2,54 € |
| 50 - 95 | 0,44 € | 2,20 € |
| 100 - 495 | 0,38 € | 1,90 € |
| 500 - 995 | 0,334 € | 1,67 € |
| 1000 + | 0,304 € | 1,52 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9651
- Herst. Teile-Nr.:
- FDN8601
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 183 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 1,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 2.92mm | |
| Länge | 1.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 0.94mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 183 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 1,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 2.92mm | ||
Länge 1.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.94mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal7 A 1 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal7 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal5 W, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal6 A 1 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench P-Kanal5 W, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal Dual7 A 960 mW, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench P-Kanal5 A 500 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N/P-Kanal-Kanal Dual9 A; 2 6-Pin SOT-23