onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.2 A 5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 759-9689P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86140
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
36,10 €
(ohne MwSt.)
42,96 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 94 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 198 | 1,805 € |
| 200 - 998 | 1,56 € |
| 1000 + | 1,375 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9689P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86140
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5mm | |
| Länge | 4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5mm | ||
Länge 4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- Bosch Rexroth MGE Alu Strebenprofil 45 x 45 mm Länge 3000mm
- Pilz PNOZ X2.8P Sicherheitsrelais 1 3 Sicherheitskontakte
- STMicroelectronics ST-LINK/V2 Chip-Programmiergerät Programmierer, STM8- und STM32-MCUs
- Pilz PNOZ X3 Sicherheitsrelais 2-Kanal 1
- RS PRO Thermoelement Typ K, Ø 1/0.3mm x 5m → +250°C
- RS PRO Miniaturgröße Thermoelement-Steckverbinder Stecker für Thermoelement Typ K
- ABB DDA 200 A RCD/FI-Schalter 40A, 30mA Typ A System Pro M Compact CE 230 → 400V
- Pilz PNOZ X2.1 Sicherheitsrelais 2-Kanal 4 ISO