onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.2 A 2.2 W, 4-Pin FDT86106LZ SOT-223

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759-9706
Herst. Teile-Nr.:
FDT86106LZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

189mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.7mm

Länge

3.7mm

Breite

6.7 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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