Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM

RS Best.-Nr.:: 760-3114P
Herst. Teile-Nr.:: 2SK1829(TE85L,F)
Marke:: Toshiba

Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM

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RS Best.-Nr.:: 760-3114P
Herst. Teile-Nr.:: 2SK1829(TE85L,F)
Marke:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	50 mA
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	USM
Serie	2SK
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	40 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Verlustleistung max.	100 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-10 V, +10 V
Breite	1.25mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	2mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	0.9mm

Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba