Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.6 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 760-4432P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2246TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
13,00 €
(ohne MwSt.)
15,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 107.440 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 245 | 0,26 € |
| 250 - 495 | 0,248 € |
| 500 - 1245 | 0,232 € |
| 1250 + | 0,22 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-4432P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2246TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 236mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 236mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.02mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 12 V bis 20 V, Infineon
Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.