STMicroelectronics MDmesh STB11NM60T4 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
760-9474
Herst. Teile-Nr.:
STB11NM60T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

450 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

160 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

30 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

10.75mm

Breite

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.6mm

Serie

MDmesh

Betriebstemperatur min.

-65 °C

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics