STMicroelectronics FDmesh STB25NM60ND N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 21 A 160 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
760-9493
Herst. Teile-Nr.:
STB25NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

21 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

160 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

160 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

80 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.75mm

Höhe

4.6mm

Serie

FDmesh

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics