STMicroelectronics MDmesh STB26NM60N N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
760-9503
Herst. Teile-Nr.:
STB26NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

165 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

140 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Breite

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.75mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

4.6mm

Serie

MDmesh