STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 760-9516
- Herst. Teile-Nr.:
- STB7NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
17,52 €
(ohne MwSt.)
20,85 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 45 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 240 Einheit(en) mit Versand ab 21. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,504 € | 17,52 € |
| 50 - 120 | 3,02 € | 15,10 € |
| 125 + | 2,368 € | 11,84 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9516
- Herst. Teile-Nr.:
- STB7NK80ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.75mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.75mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 5.8 A 140 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics MDmesh Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 250 mA 2.5 W, 4-Pin SOT-223