STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB7NK80ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

RS Best.-Nr.:: 760-9516
Herst. Teile-Nr.:: STB7NK80ZT4
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB7NK80ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

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3,134 €

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	2,634 €	13,17 €
10 - 95	2,23 €	11,15 €
100 - 495	1,75 €	8,75 €
500 - 995	1,484 €	7,42 €
1000 +	1,224 €	6,12 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 760-9516
Herst. Teile-Nr.:: STB7NK80ZT4
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 800V - 1.5 Ohm - 5.2A - D2PAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5,2 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Serie	MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße	D2PAK (TO-263)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	1,8 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4.5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	125 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Länge	10.75mm
Breite	10.4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	40 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	4.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STB7NK80ZT4 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 5,2 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

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