STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET Transistor 600 V / 20 A 140 W, 3-Pin I2PAK
- RS Best.-Nr.:
- 760-9629
- Herst. Teile-Nr.:
- STI26NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,15 € |
| 10 - 49 | 3,70 € |
| 50 - 99 | 3,33 € |
| 100 - 249 | 3,04 € |
| 250 + | 2,74 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9629
- Herst. Teile-Nr.:
- STI26NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | I2PAK | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 165 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 140 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| Höhe | 10.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße I2PAK | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 165 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 140 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 60 nC @ 10 V | ||
Höhe 10.75mm | ||