STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 STP13N95K3 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 10 A 190 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
760-9651
Herst. Teile-Nr.:
STP13N95K3
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

10 A

Drain-Source-Spannung max.

950 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

850 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

10.4mm

Breite

4.6mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

51 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

15.75mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Serie

MDmesh K3, SuperMESH3

N-Kanal MDmesh™ K3-Serie, SuperMESH3™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics