STMicroelectronics MDmesh STW48NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 760-9796
Herst. Teile-Nr.:: STW48NM60N
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh STW48NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 760-9796
Herst. Teile-Nr.:: STW48NM60N
Marke:: STMicroelectronics

N-channel 600 V, 0.063 Ohm, 39 A TO-247 MDmesh(TM) II Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	39 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	MDmesh
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	255 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	15.75mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	124 nC bei 10 V
Breite	5.15mm
Höhe	20.15mm

STMicroelectronics MDmesh STW48NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 39 A 255 W, 3-Pin TO-247

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

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