STMicroelectronics Einfach STripFET N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 6 A 30 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 760-9926P
- Herst. Teile-Nr.:
- STD6NF10T4
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | STripFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 6 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 30 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Höhe | 2.4 mm | |
| Länge | 6.6 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 250 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie STripFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 6 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 30 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Höhe 2.4 mm | ||
Länge 6.6 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 250 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -65 °C | ||
Breite 6.2 mm | ||