STMicroelectronics FDmesh STP23NM60ND N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 19,5 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
761-0086
Herst. Teile-Nr.:
STP23NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

19,5 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

180 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

70 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

15.75mm

Serie

FDmesh

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics