STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH STP2NK100Z N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 1,85 A 70 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
761-0095
Herst. Teile-Nr.:
STP2NK100Z
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,85 A

Drain-Source-Spannung max.

1000 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

70 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16 nC @ 10 V

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

15.75mm

Serie

MDmesh, SuperMESH

Betriebstemperatur min.

-55 °C

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics