STMicroelectronics MDmesh STP9NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 6,5 A 70 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
761-0222
Herst. Teile-Nr.:
STP9NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6,5 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

745 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

70 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.4mm

Breite

4.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17,4 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

15.75mm

Serie

MDmesh

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics