STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 69 A 400 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 761-0635P
- Herst. Teile-Nr.:
- STW77N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 69A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 185nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 69A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 185nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.