STMicroelectronics FDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage FDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 90 W, 3-Pin

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 2 Stück (geliefert in Stange)*

8,96 €

(ohne MwSt.)

10,66 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 165 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
2 +4,48 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
761-2745P
Herst. Teile-Nr.:
STF11NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

FDmesh II Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

FDmesh

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.4mm

Höhe

16.4mm

Breite

4.6 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics