STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, Durchsteckmontage FDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 90 W, 3-Pin

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Herst. Teile-Nr.:
STF11NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

FDmesh II Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

FDmesh

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Gate-Source-spannung max Vgs

-25V, +25V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.4mm

Länge

10.4mm

Breite

4.6mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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