- RS Best.-Nr.:
- 761-2802
- Herst. Teile-Nr.:
- STF28NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 21 A |
Drain-Source-Spannung max. | 500 V |
Gehäusegröße | TO-220FP |
Serie | MDmesh |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 158 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
Gate-Schwellenspannung min. | 2V |
Verlustleistung max. | 35 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 4.6mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 10.4mm |
Höhe | 16.4mm |
- RS Best.-Nr.:
- 761-2802
- Herst. Teile-Nr.:
- STF28NM50N
- Marke:
- STMicroelectronics
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