onsemi Isoliert N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 115 mA 200 mW, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 761-3571P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002DW
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.25mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.25mm | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 2N7002DW ist ein Universal-MOSFET mit zwei N-Kanälen. Er verfügt über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Er verfügt außerdem über eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist in einem extrem kleinen SMD-Gehäuse erhältlich. Dieser zweifache N-Kanal-MOSFET wird üblicherweise in allen allgemeinen Anwendungen verwendet, wird aber häufig in Motorsteuerungen und PMF (Power Management Functions) verwendet.
Eigenschaften und Vorteile:
• Zweifach-N-Kanal
• Niedriger Einschaltwiderstand
• Niedriger Gate-Schwellenwert
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit
• Niedrige Eingangs- und Ausgangsleckage
Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.