onsemi MegaFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 16 A 60 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
RFD16N05LSM9A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

MegaFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Breite

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor


Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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