Fairchild Semiconductor BS170_D26Z N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 761-3596
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170_D26Z
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 761-3596
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170_D26Z
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Fairchild Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 500 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 830 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 5.2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.19mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Fairchild Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 500 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 830 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 5.2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.19mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 5.33mm | ||