onsemi NDT451AN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 761-3978P
- Herst. Teile-Nr.:
- NDT451AN
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | NDT451AN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 35mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie NDT451AN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 35mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.7mm | ||
Breite 3.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.